UMF5NTR
UMF5NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:12@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V@NPN|270@10mA@2V@PNP; 工作温度:-55 t...
BFS17SH6327XTSA1
BFS17SH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:40@2mA@1V|20@25mA@1V; 最大工作频率:2500(Typ) MHz; ...
BUJ303AX,127
BUJ303AX,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@5mA@5V|14@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@3A V; 工作温度:...
NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
2SB649A
2SB649A,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJN3302RTA
FJN3302RTA,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. ...
NSS20601CF8T1G
NSS20601CF8T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Chip FET-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|200@1A@2V|200@2A@2V|200@3A@2V;...
AT-32032-BLKG
AT-32032-BLKG,功率晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:5.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:70@5mA@2.7V; 最大集电极基极电压:11 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大...
FJV3115RMTF
FJV3115RMTF,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
E-ULN2003A
E-ULN2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA...
3CA1837
3CA1837,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1000mA,BVcbo=230V,BVceo=230V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP5116H6327XTSA1
BCP5116H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
BC637
BC637,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N6338G
2N6338G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:50@0.5A@2V|30@10A@2V|12@25A@2V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
2SD1724
2SD1724,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=280,Vce(sat)=0.4V,fr=180MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTPS717MCTA
ZXTPS717MCTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-8 EP,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4.4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|180@2.5A@2V|60@8A@2V|45@10A@...
BC856AW,135
BC856AW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
MC1413BDR2G
MC1413BDR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350u...
2SA2199T2LQ
2SA2199T2LQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:VMN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@2.5mA@25mA V; 最大集电极基极电压:50 V; ...
DTC113ZVA
DTC113ZVA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92封装,参数为:Pd=625mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562