ULQ2003ADRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
ZTX789ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@1A@2V|200@2A@2V|100@6A@2V; 最大工作频率:100(Min...
MMBT5401LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射...
JANTXV2N2222AUB,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:UB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|...
2SA2121-O(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:25(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@1A@10A ...
TIP120,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12m...
DTA115GUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
2SD1624T-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@2A ...
2SB1694T106,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.38@25mA@500...
BCW68GLT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@10mA@1V|160@100mA@1V|60@300mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; ...
2SC3649S-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@50mA@...
2SC3421,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSR41F,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA V; 最大集电...
PDTA143XMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
DTC143ZETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-...
SBC857CDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...
ZXTC2061E6TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:5@NPN|3.5@PNP A; 最小DC直流电流增益:500@10mA@2V@NPN|480@1A@2V@NPN|260@5A@2V...
2SB647,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC847QAPNZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN1010B-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10mA|0.3@5mA@100m...
TIP29C,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=0.7V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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