注册账号 | 忘记密码
KTD998,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=10000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=12+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74LVC32APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...
SN74HC245DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
SN74LVC1GU04DCKR低功耗CMOS逻辑IC由TI...
AT89LS51-16JU单片机,低功耗高性能的CMOS 8...
SN74HCT573PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
74AHC14D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
AT25040AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL...
89C55WD-24AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
SN74HC595DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...