NSV9435T1G
NSV9435T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:125@0.8A@1V|110@1.2A@1V|90@3A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.21@20mA@0.8...
MUN2215T1G
MUN2215T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BCX70J,215
BCX70J,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:30@10uA@5V|250@2mA@5V|90@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最...
BC849CWH6327XTSA1
BC849CWH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
2SA1163-GR,LF
2SA1163-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-236-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压...
BC846AS-7
BC846AS-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
PBLS6002D,115
PBLS6002D,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|60@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|1000@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V@NPN|200@1mA@5V@P...
2SD1757KT146S
2SD1757KT146S,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@3V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@...
RN2904FE,LF
RN2904FE,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:ES-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V...
2SB561
2SB561,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=700mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=350+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTB713ZMT2L
DTB713ZMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:200 mA; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
2SA1586-GR(T5LSUMF)
2SA1586-GR(T5LSUMF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
MJD122-1
MJD122-1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-251-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16m...
MMBT5551
MMBT5551,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=600mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.2V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC2785
KSC2785,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=250mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.3V,fr=300+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC123JET1G
DTC123JET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
PDTA123JU,115
PDTA123JU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
MJD3055TF
MJD3055TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0...
BCW89
BCW89,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA V; 工作温度:-55 to 15...
DCP51-13
DCP51-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...