MJD112RLG
MJD112RLG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
ZTX658
ZTX658,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|50@100mA@5V|40@200mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大...
2SB1198KFRAT146
2SB1198KFRAT146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-346-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@0.1A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@0.5A V; 最大集电极基极电...
BD709
BD709,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:30@2A@2V|40@0.5A@2V|15@4A@4V|8(Typ)@10A@4V; 最大工作频...
ULQ2003ADRG4
ULQ2003ADRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
ZXTP19020DGTA
ZXTP19020DGTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@2V|200@2A@2V|45@8A@2V; 最大工作频率:176(Typ) MHz;...
BC849C,235
BC849C,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA...
BC858BWT1G
BC858BWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA...
DTA144VKAT146
DTA144VKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
NSBA144EF3T5G
NSBA144EF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
MJE5852
MJE5852,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:15@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@1A@4A|5@3A@8A ...
NSBC124EDXV6T1G
NSBC124EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
NSVBC124EDXV6T1G
NSVBC124EDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
NSV20101JT1G
NSV20101JT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@100mA@2V|150@500mA@2V|100@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电...
BFR193FH6327XTSA1
BFR193FH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 ...
MMBTA64
MMBTA64,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=800mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN2317(TE85L,F)
RN2317(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SB562
2SB562,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=350+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT3904LT1HTSA1
MMBT3904LT1HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30...
DMC261030R
DMC261030R,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:Mini5-G3-B-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 安...