KSD880O
KSD880O,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:60@500mA@5V; 最大工作频率:3(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.3A@3A ...
2SC4135S-TL-E
2SC4135S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@100mA@...
BC847DS,115
BC847DS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10m...
NSVMMBT5087LT1G
NSVMMBT5087LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:250@100uA@5V|250@1mA@5V|250@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3...
MCH6541-TL-E
MCH6541-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:300@50mA@2V@NPN|200@10mA@2V@PNP; 最大工作频率:540(Typ)@NPN|52...
2SC2881-O(TE12L,CF)
2SC2881-O(TE12L,CF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:80@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱...
PUMH4,115
PUMH4,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
ZTX694BSTZ
ZTX694BSTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V|400@200mA@2V|150@400mA@2V; 最大工作频率:130(Min...
2DD1621T-13
2DD1621T-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|65@1.5A@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
BCR141 E6327
BCR141 E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
FZT758TA
FZT758TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|50@100mA@5V|40@200mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
CPH5905H-TL-E
CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
PMBTA42DS,125
PMBTA42DS,125,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; ...
BC849CW,135
BC849CW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
2SCR522MT2L
2SCR522MT2L,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@0.1A V; 最大集电极基极电压:20 ...
PDTC114ET,235
PDTC114ET,235,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
PEMD12,315
PEMD12,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
2SD1816T-TL-E
2SD1816T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@5V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.2A@2A...
BCR523UE6433HTMA1
BCR523UE6433HTMA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SC-74-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
DTA115ECA
DTA115ECA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=82,Vo(on)=0.3V,R1=100K+欧姆,R2=100K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562