2SD1758
2SD1758,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1200mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA2018
2SA2018,贴片晶体管,三极管,SOT-523封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=500mA,BVcbo=15V,BVceo=12V,BVebo=6V,hfe(Min)=270,hfe(Max)=680,Vce(sat)=0.25V,fr=260+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP105
TIP105,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:200@8A@4V|2000@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A...
BCP56-16
BCP56-16,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和...
2SA1162-GR,LF
2SA1162-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA V; 最大集电极基极电...
SBC807-25WT1G
SBC807-25WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
MJD42C
MJD42C,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC847BM,315
BC847BM,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10mA...
ZDT795ATA
ZDT795ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SM8-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@200mA@2V|100@300mA@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz...
NE85630-R25-A
NE85630-R25-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
ULQ2003D1013TR
ULQ2003D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1...
NSS12100XV6T1G
NSS12100XV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|100@500mA@2V|90@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.04@0.0...
DS2003CM/NOPB
DS2003CM/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100m...
2N5179
2N5179,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-72-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:25@3mA@1V; 最大工作频率:1500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@1mA@10...
PEMB11,115
PEMB11,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
2STP535FP
2STP535FP,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:180 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@...
DTC143EM3T5G
DTC143EM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BC560CG
BC560CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10uA@5V|380@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@...
BUL1102EFP
BUL1102EFP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:35@250mA@5V|12@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@400...
BFS17PE6752
BFS17PE6752,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:40@2mA@1V|20@25mA@1V; 最大工作频率:2500(Typ) MHz; 最大集电极发...