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2SD1899-Z

2SD1899-Z,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Transistor
  • 品牌:CN
  • 封装:TO-251-3L
  • 描述:晶体管,三极管
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    2SD1899-Z内部电路图

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  • Description:Transistor
  • 品牌:CN
  • 封装:TO-251-3L
  • 描述:晶体管,三极管
  • DataSheet:数据手册 pdf

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