2SC6026MFVGR,L3F
2SC6026MFVGR,L3F,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极...
RN1904,LF(CT)
RN1904,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
NE68539-A
NE68539-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:75@10mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:180...
BCX70J
BCX70J,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|90@50mA@1V; 最大工作频率:125(Min) MHz; 最...
ZXTP5401ZTA
ZXTP5401ZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V; 最大工作频率:100(Typ) MHz;...
2SD1802S-TL-E
2SD1802S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@2...
2SA1419S-TD-E
2SA1419S-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
LMN200B01-7
LMN200B01-7,PNP晶体管和N-MOSFET，带有下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN200B01; 安...
BC817DSF
BC817DSF,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-457-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@500mA V; 最大...
2N4920G
2N4920G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:40@50mA@1V|30@500mA@1V|10@1A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
2SA940
2SA940,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1500mA,BVcbo=150V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=140,Vce(sat)=1.5V,fr=4+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC846BWT1G
BC846BWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
BC309
BC309,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.6V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC857A,215
BC857A,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
BSP31,115
BSP31,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@100uA@5V|100@100mA@5V|50@500mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最...
DXT651-13
DXT651-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:200(Typ)...
MMUN2230LT1G
MMUN2230LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:3@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BC847BW,115
BC847BW,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
DTC143ZET1G
DTC143ZET1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
BFP720FESDH6327XTSA1
BFP720FESDH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.2 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:160@15mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:4.2 V; 最大集电极基极电压:...