KTD998
KTD998,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=10000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=12+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD236
BD236,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC80725MTF
BC80725MTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@...
BST51,135
BST51,135,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱...
DMA564050R
DMA564050R,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SMini6-F3-B-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
D882
D882,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD602A
2SD602A,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.6V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC1027
KTC1027,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1577T106R
2SA1577T106R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@30mA@3...
FZT549TA
FZT549TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|30@2A@2V; 最大工作频率:100(Min)...
NE85639-A
NE85639-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:2...
DTC123JCA
DTC123JCA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC856W
BC856W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=80V,BVceo=65V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=475,Vce(sat)=0.65V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS2222AG
MPS2222AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V...
2SB1124S-TD-H
2SB1124S-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@100mA@2A ...
FMMT497TA
FMMT497TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|80@100mA@10V|20@250mA@10V; 最大工作频率:75(Min) M...
BC857BT,115
BC857BT,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
TPIC44L02DBR
TPIC44L02DBR,4通道串行和并行低侧前置FET驱动器,品牌:TI,封装:SSOP-24,参数:分类:4-Channel Serial and Parallel Low-Side Pre-Fet Driver; 引脚数目:24; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:TPIC44L02; 安装方式:S...
PDTC114TT,235
PDTC114TT,235,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
PUMH9,165
PUMH9,165,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...