2SD2351T106W
2SD2351T106W,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:1200@1mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@5mA@50...
DTA143EKA
DTA143EKA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCW65ALT1G
BCW65ALT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:35@100uA@10V|75@10mA@1V|100@100mA@1V|35@500mA@2V; 最大工作频率:10...
2SC6097-TL-E
2SC6097-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@2V; 最大工作频率:390(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@50mA@1A...
ULN2004ADRE4
ULN2004ADRE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
PEMH14,115
PEMH14,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
KTB1366
KTB1366,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=9+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC846BMB,315
BC846BMB,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10m...
ZXTN25050DFHTA
ZXTN25050DFHTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|240@1A@2V|20@4A@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; ...
DDTC113TE-7-F
DDTC113TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
IMB1AT110
IMB1AT110,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
SBCP53-16T1G
SBCP53-16T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; ...
TIP127
TIP127,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,hfe(Max)=-,Vce(sat)=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA42
MMBTA42,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=500mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSE13003H2ASTU
KSE13003H2ASTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:14@0.5A@2V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5...
NE68033-T1B-R45-A
NE68033-T1B-R45-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@6V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大...
JAN2N2222AUB
JAN2N2222AUB,功率晶体管,参数:TRANS GP BJT NPN 50V 0.8A 3TO-206AA,品牌:Microsemi,封装:TO-206AA-3,库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
TIP111G
TIP111G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基极...
FMG5AT148
FMG5AT148,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及...
MMDT2907V-7
MMDT2907V-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|5...