MMBTA14,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0....
2SD1628F-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:160@0.5A@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@60mA@3A V;...
ZX5T955GTC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|45@3A@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大...
TIP122G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@...
2N5550,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=160V,BVceo=140V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFN19E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|30@30mA@10V; 最大工作频率:100(Typ) ...
BCR10PN H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
BUX48A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:8@8A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1.6A@8A|5@2.4A@12A V; 工作...
JAN2N2222A,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30...
NSBA124XF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
SMBT3906E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|...
MMBT2222AT,贴片晶体管,三极管,SOT-523封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=600mA,BVcbo=75V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=1V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTD743EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:200 mA; 最小DC直流电流增益:115@100mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
NSBC123JDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
2SA1419S-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
2SC5824T100Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@200mA@2A...
TPIC44H01DAG4,4通道串行和并行高侧前置FET驱动器,品牌:TI,封装:TSSOP-32,参数:分类:4-Channel Serial And Parallel High-Side Pre-Fet Driver; 引脚数目:32; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:TPIC44H01; 安装方...
DXT2907A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
STA124,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=15V,BVceo=12V,BVebo=6.5V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=450,Vce(sat)=0.4V,fr=260+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NJVMJD44H11T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@...
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