MPSA14
MPSA14,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBT3904M,315
PMBT3904M,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; ...
2STN1550
2STN1550,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@3A@2V|135@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@300mA@3A V; 最大集电极...
KTA2014
KTA2014,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP5616H6327XTSA1
BCP5616H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和...
PMST6428,135
PMST6428,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:250@0.01mA@5V|250@0.1mA@5V|250@1mA@5V|250@10mA@5V; 最大工作频率...
ULN2003APW
ULN2003APW,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
2SD1685F
2SD1685F,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-126ML-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:160@500mA@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@60mA@3A V...
PEMH16,115
PEMH16,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
DDTD142TU-7-F
DDTD142TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
DTA144EETL
DTA144EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
KSA1381ESTU
KSA1381ESTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@10V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
PBSS303PX,115
PBSS303PX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5.1 A; 最小DC直流电流增益:250@0.5A@2V|250@1A@2V|200@2A@2V|150@4A@2V|100@6A@2V; 最大...
PBLS4004Y,115
PBLS4004Y,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|40@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V@NPN|40@500mA@2V@P...
FCX491ATA
FCX491ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V|35@2A@5V; 最大工作频率:150(Min...
NSV40300MDR2G
NSV40300MDR2G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|220@500mA@2V|180@1A@2V|150@2A@2V; 最大工作频率:100(M...
MJD112RLG
MJD112RLG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
SMUN5113DW1T1G
SMUN5113DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实...
2SB1182
2SB1182,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPCP8F01(TE85L,F,M)
TPCP8F01(TE85L,F,M),多芯片分立器件,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Multi Chip Discrete Device; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8F01; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...