CPH5901F-TL-E
CPH5901F-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
MMBT5551
MMBT5551,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电...
MJD31C
MJD31C,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.2V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
2SC3647T-TD-E
2SC3647T-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
2SC4505T100Q
2SC4505T100Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@10mA@10V; 最大工作频率:20(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@10...
MJD50G
MJD50G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A...
BD678
BD678,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最...
FMMT455TA
FMMT455TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@15mA...
FZT653TA
FZT653TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|55@1A@2V|25@2A@2V; 最大工作频率:175(Typ...
MMBTA94
MMBTA94,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=300mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA143ESA
DTA143ESA,PNP数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=30,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QSX2TR
QSX2TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:270@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@40mA@2A V; 最大...
DDTA144GE-7-F
DDTA144GE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
BCR108SE6327
BCR108SE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BFP460 H6327
BFP460 H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:90@20mA@3V; 最大工作频率:22000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 ...
2SD2098T100S
2SD2098T100S,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:270@0.5A@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.1A@4A V; ...
KTC2026
KTC2026,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=1V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
8050S
8050S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB764
2SB764,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR142WH6327XTSA1
BCR142WH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surfac...