2SB1316TL
2SB1316TL,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@1A V; 最大集电极基极电压:100 V; ...
2SB1198KT146R
2SB1198KT146R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@3V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
MJD117-1G
MJD117-1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A...
2SCR512PT100
2SCR512PT100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@35mA@700...
SPZT2907AT1G
SPZT2907AT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@5...
2SD2136
2SD2136,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=6V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=1.2V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB834
2SB834,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=9+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ST13009
ST13009,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:10@8A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.85@0.8A@4A|0.9@1A@5A|...
SBC856BLT3G
SBC856BLT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
KTA1024
KTA1024,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=50mA,BVcbo=150V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.8V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMBT3904B5003
SMBT3904B5003,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@10...
2N5179
2N5179,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-72-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:25@3mA@1V; 最大工作频率:1500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@1mA@10...
2SD965
2SD965,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=5000mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=7V,hfe(Min)=230,hfe(Max)=800,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1201-Y(T2LSUM,F)
2SA1201-Y(T2LSUM,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极...
NSBC143ZDXV6T1G
NSBC143ZDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
MMBTA63-7-F
MMBTA63-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@100mA@5V|5000@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@10...
IMX8-7-F
IMX8-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:180@2mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@1...
KTC3194
KTC3194,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PZT2222AT1G
PZT2222AT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|70@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150m...
ULN2001D1013TR
ULN2001D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250...