PBLS6002D,115
PBLS6002D,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|60@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|1000@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V@NPN|200@1mA@5V@P...
2SA1081
2SA1081,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=90V,BVceo=90V,BVebo=5V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.2V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NJVMJD44E3T4G
NJVMJD44E3T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@10mA@5A V; 工作温度:-55 to 1...
BC847BFA-7B
BC847BFA-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10uA@5V|200@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.125@0.5mA@10mA|0.3...
KSB798GTF
KSB798GTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@1V; 最大工作频率:110(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.1...
BC33725TA
BC33725TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|100@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发...
FCX591TA
FCX591TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@500mA@5V|80@1A@5V|15@2A@5V; 最大工作频率:150(Min) ...
BFU520WF
BFU520WF,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@8V; 最大集电极基极电压:24 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 m...
BD435G
BD435G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@5V|85@0.5A@1V|50@2A@1V|30@3A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极...
MUN2140T1G
MUN2140T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
SST6839T116
SST6839T116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@100mA@5V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
BUL1102EFP
BUL1102EFP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:35@250mA@5V|12@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@400...
MJD2955G
MJD2955G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.4A@4A|8...
PDTA143EE,115
PDTA143EE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
MMBT3904-7-F
MMBT3904-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA...
BC858BW-7-F
BC858BW-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5...
MPS750
MPS750,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=75,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=75MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3CA753
3CA753,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1200mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2DD1621T-13
2DD1621T-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|65@1.5A@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
TD62084AFG(O,N,EL)
TD62084AFG(O,N,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...