BC337
BC337,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=630,Vce(sat)=0.7V,fr=210MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A94
A94,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=300mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTD122LU-7-F
DDTD122LU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
IMD10AMT1G
IMD10AMT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-74R-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V@NPN|68@100mA@5V@PNP; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装...
BFN39E6327
BFN39E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:100(Typ)...
DTA023JUBTL
DTA023JUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-323FL-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
MJD210TF
MJD210TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射...
SMMBTA06WT1G
SMMBTA06WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
BCP52
BCP52,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA...
MMBT2222A-13
MMBT2222A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@...
DTC143EM3T5G
DTC143EM3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
BC847CDLP-7
BC847CDLP-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@...
D45H8
D45H8,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 最大集电极基极电压:60 V...
DDC122TH-7
DDC122TH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
DXT3906-13
DXT3906-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@100uA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1...
MMBTA14-7-F
MMBTA14-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
MSC2712GT1G
MSC2712GT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA...
TIP147T
TIP147T,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10...
NJVMJD44H11T4G
NJVMJD44H11T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@...
MMST5551
MMST5551,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=600mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.2V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562