TIP31C
TIP31C,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.2V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC817W
BC817W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.7V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD241BFP
BD241BFP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A V...
2SA1662
2SA1662,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=400mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC238
BC238,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.8V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMSTA56-7-F
MMSTA56-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射...
RN2108MFV,L3F
RN2108MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
NE68118-T1-A
NE68118-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@8V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散...
NSVBSS63LT1G
NSVBSS63LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:30@10mA@1V|30@25mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@2.5mA@25mA V; 最...
DTC124EUA
DTC124EUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=56,Vo(on)=0.3V,R1=22K+欧姆,R2=22K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZT1151ATA
FZT1151ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:270@10mA@2V|250@500mA@2V|180@2A@2V|100@3A@2V; 最大工作频率:145...
SS9012HBU
SS9012HBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:144@50mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:...
TIPL790-S
TIPL790-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@0.5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@20mA@4A|1.5@30mA@7A|2...
2SB1308T100R
2SB1308T100R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:180@500mA@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@0.15A@1...
NE68519-T1-A
NE68519-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Ultra Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:75@10mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 15...
BST52TA
BST52TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5m...
DTC123EKA
DTC123EKA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=20,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=2.2K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA14-7-F
MMBTA14-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
STN724
STN724,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@2V|80@1A@2V|30@3A@2V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极...
BF483
BF483,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=250V,BVebo=5V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=70MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562