NJW21193G
NJW21193G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-3P-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:20@8A@5V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.4@0.8A@8A|4@3.2A@...
2SC4081T106S
2SC4081T106S,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:270@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50m...
NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
2SB1202
2SB1202,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8...
BFP183WH6327XTSA1
BFP183WH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:70@15mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压...
DS2003TM
DS2003TM,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V; ...
MMBTA06
MMBTA06,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX5516H6433XTMA1
BCX5516H6433XTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:...
DTC123JSA
DTC123JSA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF370
BF370,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=100mA,BVcbo=40V,BVceo=15V,BVebo=4.5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=500MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBT3906MB,315
PMBT3906MB,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V;...
DMB53D0UV-7
DMB53D0UV-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB53D0UV; 安装...
BFP450 H6433
BFP450 H6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.17 A; 最小DC直流电流增益:60@50mA@4V|50@90mA@3V; 最大工作频率:24000(Typ) MHz; 最大...
2SB1119
2SB1119,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
ULQ2004AD
ULQ2004AD,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
PBLS4002D,115
PBLS4002D,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|40@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|1000@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V@NPN|300@1mA@5V@P...
2SA1083
2SA1083,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.2V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX753
ZTX753,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A V; 最大集电极基极电...
SST6839T216
SST6839T216,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA|0.7...
2N5088TA
2N5088TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:300@10uA@5V|350@1mA@5V|300@10mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...