DDTD113EC-7-F
DDTD113EC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:33@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
ZXTN619MATA
ZXTN619MATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:4.3 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@1A@2V|100@2A@2V; 最大工作频率:1...
BC557BRL1G
BC557BRL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:180@2mA@5V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA...
DTA023EMT2L
DTA023EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@20mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DZT853-13
DZT853-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@2V|100@2A@2V|50@4A@2V|20@10A@2V; 最大工作频率:130(Typ...
2SA1036KT146Q
2SA1036KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@30mA@...
MUN2134T1G
MUN2134T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
DMC904F00R
DMC904F00R,功率晶体管,品牌:Panasonic,封装:SSMini6-F3-B-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20@TR 1|50@TR 2 V; 最大DC直流集电极电流:0.015@TR 1|0.1@TR 2 A; 最小DC直流电流增益:65@1mA@6V@TR 1|21...
MMBTA42
MMBTA42,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=500mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTA143EMB,315
PDTA143EMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
MJD117T4G
MJD117T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
MJB44H11G
MJB44H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:D2PAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A ...
NCV1413BDR2G
NCV1413BDR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350...
SBCW33LT1G
SBCW33LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA V; 最大集电极基极电压:32 V;...
MMBT6427LT1G
MMBT6427LT1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|14000@500mA@5V; 最大集电极发...
2SC4853A-4-TL-E
2SC4853A-4-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.015 A; 最小DC直流电流增益:90@1mA@1V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:12 V; 工作温度:-5...
MJD210T4G
MJD210T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
FZT690BTA
FZT690BTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:500@100mA@2V|400@1A@2V|150@2A@2V|50@...
MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.06 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@1mA@...
TPCP8J01(TE85L,F,M)
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...