FZT749TC
FZT749TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大工作频率:160(Typ) MH...
KSC5021F
KSC5021F,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=800V,BVceo=500V,BVebo=7V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=50,Vce(sat)=1V,fr=15+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT3906,215
MMBT3906,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
DTC114EETL
DTC114EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
PDTA114EMB,315
PDTA114EMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
PMBT3904MB,315
PMBT3904MB,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1BV|30@100mA@1V...
2SC3149M
2SC3149M,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=600mA,BVcbo=1200V,BVceo=800V,BVebo=7V,hfe(Min)=24,hfe(Max)=35,Vce(sat)=1V,fr=15+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMUN5215T1G
SMUN5215T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
MMBT2222AWT1G
MMBT2222AWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@500m...
2SC3295B(TE85L,F)
2SC3295B(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:1200@2mA@6V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
BC846UPNE6327HTSA1
BC846UPNE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SC-74-6,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
ULQ2003D1013TRY
ULQ2003D1013TRY,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|...
TIP47TU
TIP47TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
2SCR523EBTL
2SCR523EBTL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-416FL-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@5mA@50mA V; 最大集电极基极电压:50...
ULN2003APWR
ULN2003APWR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
BC858
BC858,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003AIDG4
ULN2003AIDG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
PBSM5240PFH,115
PBSM5240PFH,115,PNP晶体管带有N沟道沟槽MOSFET,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:PNP Transistor with N-Channel Trench MOSFET; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:PBSM5240PFH; 安装方式:Su...
MUN5311DW1T2G
MUN5311DW1T2G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
NSVMUN5316DW1T1G
NSVMUN5316DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...