2PC4617QMB,315
2PC4617QMB,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@5mA@50m...
CPH5901F-TL-E
CPH5901F-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
DXTP03200BP5-13
DXTP03200BP5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|20@2A@5V; 最大工作频率:105(Typ) ...
MJD44H11T5G
MJD44H11T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A ...
2SC536
2SC536,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=960,Vce(sat)=0.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN2130MFV,L3F
RN2130MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BD677A
BD677A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电...
PMST5550,135
PMST5550,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射...
BFU550VL
BFU550VL,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:60@15mA@8V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 mW; 安装方式:Surfac...
MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BDX33C
BDX33C,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集...
MUN5241T1G
MUN5241T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
PBSS4041NX,115
PBSS4041NX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:6.2 A; 最小DC直流电流增益:300@500mA@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|150@4A@2V|75@6A@2V; 最...
DN0150BLP4-7B
DN0150BLP4-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-H4-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10...
2SA1300
2SA1300,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.82V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NCV8450STT3G
NCV8450STT3G,自保护高侧驱动器，具有温度和电流限制,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:分类:Self-Protected High Side Driver with Temperature and Current Limit; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:NCV...
MJE350STU
MJE350STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功...
CPH3106-TL-E
CPH3106-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.165@30mA@1.5...
MMBTA92LT3G
MMBTA92LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@30mA@10V|25@1mA@10V|40@10mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最...
BC847,215
BC847,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...