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DXT751-13

DXT751-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:145(Typ)...

NSBC124EPDXV6T5G

NSBC124EPDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...

FJV3115RMTF

FJV3115RMTF,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...

FZT649

FZT649,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大工作频率:150(Min) M...

MMBT2222ATT3G

MMBT2222ATT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-416-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@50...

2SB776

2SB776,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=80+`MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

NE97733-A

NE97733-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:20@20mA@8V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:200 ...

TIP41C

TIP41C,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1...

2SA1552S-TL-E

2SA1552S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA...

DDTC113ZUA-7-F

DDTC113ZUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...

BCM856BS,115

BCM856BS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:175(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@1...

2SB1202

2SB1202,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8...

TIP29CTU

TIP29CTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@4V|15@1A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...

PDTA144TT,215

PDTA144TT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...

2SD1815T-E

2SD1815T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@5V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.15A@1.5A V;...

ULN2804APG,N

ULN2804APG,N,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@50...

BC338

BC338,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=630,Vce(sat)=0.7V,fr=210MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

CZT127

CZT127,贴片达林顿晶体管,由CJ原厂生产,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,fr=4MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BC817K-40W H6327

BC817K-40W H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:170(Typ) MHz;...

PHPT60406NYX

PHPT60406NYX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-669-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:230@500mA@2V|220@1A@2V|150@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.07@50mA@...