KTC3197
KTC3197,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=50mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=4V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD136
BD136,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC846T,115
BC846T,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10m...
FZT953TA
FZT953TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@2A@1V|75@5A@1V|10@10A@1V; 最大工作频率:125(Typ)...
2SC2999
2SC2999,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=30mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=3V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=450MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC857CM,315
BC857CM,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10mA...
2N3904TFR
2N3904TFR,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
EMF17T2R
EMF17T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|150@PNP mA; 最小DC直流电流增益:20@20mA@5V@NPN|180@1mA@6V@PNP; 工作温度:-55 ...
BD241A-S
BD241A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.6A@3A V; 工作温度:-65 to ...
DTA115EUAT106
DTA115EUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:075...
PDTC143ZU,115
PDTC143ZU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BCR35PNH6433XTMA1
BCR35PNH6433XTMA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surf...
BDX54C
BDX54C,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极...
A733
A733,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=475,Vce(sat)=0.3V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTP03200BZTA
ZXTP03200BZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|20@2A@5V; 最大工作频率:105(Typ) MHz; ...
S2000AF
S2000AF,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOWATT218FX-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:700 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:10@1A@5V|4.5@4.5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@2A@4...
BC858
BC858,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STN1802
STN1802,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|100@3A@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大...
MJD31CT4-A
MJD31CT4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A...
DSS5160V-7
DSS5160V-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V|150@500mA@5V|100@1A@5V; 最大工作频率:150(Min) MHz; ...