DDA124EU-7-F
DDA124EU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
2N2905A
2N2905A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-39-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA...
PMP4501G,135
PMP4501G,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-353-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA...
FCX495TA
FCX495TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@250mA@10V|50@500mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:1...
PDTB143XUF
PDTB143XUF,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BD137
BD137,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=190+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSVMUN5113DW1T3G
NSVMUN5113DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DTC363EKT146
DTC363EKT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
2N6427G
2N6427G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|14000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压...
TIP30CG
TIP30CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@4V|15@1A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@125...
MJD32CT4
MJD32CT4,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:20@500mA@10V|3@0.5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V; 最大...
UMF24NTR
UMF24NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:150@TR 1|100@TR 2 mA; 最小DC直流电流增益:180@1mA@6V@TR 1|30@5mA@5V@TR 2; 工作温度:-55 to 15...
SMUN2211T3G
SMUN2211T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BCX17
BCX17,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|70@300mA@1V|40@500mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.62@5...
BC857W
BC857W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DDTA114YLP-7
DDTA114YLP-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
CPH5902G-TL-E
CPH5902G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
ZTX753
ZTX753,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A V; 最大集电极基极电...
2SA950
2SA950,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=600mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.7V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC850CW H6327
BC850CW H6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2...