1N6117US
1N6117US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: ...
1N6118AUS
1N6118AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电...
1N6118US
1N6118US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流...
1N6119AUS
1N6119AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10 A; 最大反向漏电流:...
1N6120AUS
1N6120AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流...
1N6121AUS
1N6121AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 32.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流...
1N6122AUS
1N6122AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 35.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流...
1N6123AUS
1N6123AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流...
1N6123US
1N6123US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流:...
1N6124AUS
1N6124AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流...
1N6124US
1N6124US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流:...
1N6125AUS
1N6125AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.9 A; 最大反向漏电流...
1N6126AUS
1N6126AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏电流...
1N6127AUS
1N6127AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 56V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: ...
1N6128AUS
1N6128AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 62.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流...
1N6129AUS
1N6129AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 69.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: ...
1N6130AUS
1N6130AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: ...
1N6131AUS
1N6131AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流...
1N6132AUS
1N6132AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 91.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: ...
1N6133AUS
1N6133AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流...