SMAJ22E3
SMAJ22E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反向漏电流...
SMAJ22CE3
SMAJ22CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.7 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ22CAE3
SMAJ22CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.1 A; 最大反向漏电流...
SMAJ22AE3
SMAJ22AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.1 A; 最大反向漏电...
SMAJ20E3
SMAJ20E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏电流...
SMAJ20CE3
SMAJ20CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.9 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ20CAE3
SMAJ20CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流...
SMAJ20AE3
SMAJ20AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电...
SMAJ18E3
SMAJ18E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流...
SMAJ18CE3
SMAJ18CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ18CAE3
SMAJ18CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流...
SMAJ18AE3
SMAJ18AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电...
SMAJ17E3
SMAJ17E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流...
SMAJ17CE3
SMAJ17CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ17CAE3
SMAJ17CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流...
SMAJ17AE3
SMAJ17AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电...
SMAJ170E3
SMAJ170E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电...
SMAJ170CE3
SMAJ170CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流...
SMAJ170CAE3
SMAJ170CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电...
SMAJ170AE3
SMAJ170AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏...