SMAJ13E3
SMAJ13E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 21 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ13CE3
SMAJ13CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 21 A; 最大反向漏电流: 5...
SMAJ13CAE3
SMAJ13CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流...
SMAJ13AE3
SMAJ13AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电...
SMAJ130E3
SMAJ130E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电...
SMAJ130CE3
SMAJ130CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流...
SMAJ130CAE3
SMAJ130CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电...
SMAJ130AE3
SMAJ130AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏...
SMAJ12E3
SMAJ12E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.7 A; 最大反向漏电流...
SMAJ12CE3
SMAJ12CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.7 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ12CAE3
SMAJ12CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电流...
SMAJ12AE3
SMAJ12AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电...
SMAJ120E3
SMAJ120E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电...
SMAJ120CE3
SMAJ120CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流...
SMAJ120CAE3
SMAJ120CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电...
SMAJ120AE3
SMAJ120AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏...
SMAJ11E3
SMAJ11E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 24.9 A; 最大反向漏电流...
SMAJ11CE3
SMAJ11CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 24.9 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ11CAE3
SMAJ11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.4 A; 最大反向漏电流...
SMAJ11AE3
SMAJ11AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.4 A; 最大反向漏电...