P6SMB12CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.9 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMAJ550HE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 495V 300W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大反向漏电流: 1 uA...
VPORT0603220MV05,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:INPAQ,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:30 V; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:15 u...
1.5SMCJ17A_R2_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 1.5KW,品牌:Panjit,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 53.3 A; 最大...
SMBJ10CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流...
SMAJ12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 20.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ7.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大反向漏电流: ...
ICTE18HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 2 u...
P6KE33CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.1 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ60A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
MLVA04V05C270,ESD静电抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:20 V; 最大工作电压:5.5 V; 电容值:270 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
PESD5V0S2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
SMCJ5.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 156.2 A; 最大反向漏...
P6SMB30CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.6V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
TPD4E001DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
3KASMC30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 3KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
P6KE62A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
P4KA30HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.2 A; 最大反向漏电流:...
SMDA03C-7E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向...
SMCJ6064AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏...
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