P4KE13D-E3
P4KE13D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22.3 A; 最大反向漏电流: ...
P4KE12D-E3
P4KE12D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 24.2 A; 最大反向漏电流: ...
P4KE11D-E3
P4KE11D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26.1 A; 最大反向漏电流: 5...
P4KE10D-E3
P4KE10D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流: 10...
NOIL1SE3000A-GDC
NOIL1SE3000A-GDC, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 3KW,品牌:ON,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 115.4 A; 最大反向漏...
15KPA33AE3
15KPA33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 75V 15000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 123....
15KPA33CAE3
15KPA33CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 276.1 A; 最大反向漏电...
15KPA40CAE3
15KPA40CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 229.5 A; 最大反向漏电...
15KPA43CAE3
15KPA43CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 216.3 A; 最大反向漏电...
15KPA48CAE3
15KPA48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 194.3 A; 最大反向漏电...
15KPA75AE3
15KPA75AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 33V 15000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 276....
1N6103AUS
1N6103AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流...
1N6103US
1N6103US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流:...
1N6104AUS
1N6104AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流...
1N6104US
1N6104US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流:...
1N6105AUS
1N6105AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流...
1N6105US
1N6105US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流:...
1N6106AUS
1N6106AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流...
1N6106US
1N6106US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流:...
1N6107AUS
1N6107AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: ...