1N6133US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 98.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电流:...
1N6134AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 114V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.4 A; 最大反向漏电流:...
1N6135AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电...
1N6136AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流:...
1N6137AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流:...
1N6461US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 315 A; 最大反向漏电流: ...
1N6462US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 258 A; 最大反向漏电流: ...
1N6463US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 125 A; 最大反向漏电流:...
1N6464US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流:...
1N6465US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: ...
1N6466US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 63 A; 最大反向漏电流...
1N6467US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.3V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流...
1N6468US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流...
30KPA144AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 144V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 135.8 A; 最大反...
30KPA150CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.8 A; 最大反向...
30KPA260CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 260V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 72.8 A; 最大反向漏...
30KPA39CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 39V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 450.9 A; 最大反向漏电...
30KPA43CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 84V 30000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 217.7...
30KPA45AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 391.5 A; 最大反向漏...
30KPA48AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 371.3 A; 最大反向漏...
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