STRVS185X02E, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位电压: 185 V; 最大反向关...
SMBJ9.0CA-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 20 uA;...
SA12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
P6SMB82AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
P6SMB30A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMAJ150CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
BZW50-82B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 82V 5KW,品牌:ST,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 317 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
1N6056, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 41V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.4 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMCJ5637E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反...
BZG04-12TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 12V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 14.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 20.9 V; 最大反向关态电压: 12 ...
SMBJ45A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ26AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.2 A; 最大反向漏电...
SMAJ7.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.3 A; 最大反向漏电流: 400 u...
SMLJ14C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 116.2 A; 最大反向漏电流: ...
BZW04-17B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏电...
ICT-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 25 u...
SRDA12-4.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc k...
SMBJ12CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27.3 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ51CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: 2...
SA24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
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