ICTE15C-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
SMBJ5.0A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 65.2 A; 最大反向漏电流: 80...
SMAJ40AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMAJ45A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N6112A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.9 A; 最大反向漏电流: ...
TGL41-22A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13.1 A; 最大反向...
SMLJ22AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 84.4 A; 最大反向漏电...
SMBJ17AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电...
SM8S30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 136 A; 最大反向漏电流...
SMCJ5651, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反...
LC6.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 1...
SM15T15AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 368 A; 最大反向漏电流: ...
TGL41-200A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.73 A; 最大反向...
LC7.5A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6142US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103.4 A; 最大反向漏电...
SA14CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMA5J24CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMX1J7.5A-TR,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM kV; 最大工作...
1N6149AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.2 A; 最大反向漏...
CG0603MLU-3.3E,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0603,参数:引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Disc kV; 最大工作电压:3.3(Typ) V...
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