TPD2E001DZDR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
1.5KE22AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ5631E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.63V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 120 A; 最大...
1.5SMC47A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.1 A; 最大反向漏电流...
SMAJ20CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1N6046, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.5 A; 最大反向漏电流: 5 u...
P4SMA480AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 408V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.46 A; 最大反向漏电...
SMLJ33, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 50.4 A; 最大反向漏电流: ...
1N6171A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流...
PTVS28VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电...
SMA5J17CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
P6SMB6.8CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57.1 A; 最大反向漏电流: 20...
SMCJ250E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: ...
BZW04-273B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 273V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.9 A; 最大反向漏电流...
1N5650A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流...
SMB8J8.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 55.6 A; 最大反向漏电流: 40...
P6SMB120CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 102V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMAJ11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.4 A; 最大反向漏电流...
P6KE400CA_F0_100A1, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 342V 600W,品牌:Panjit,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.1 A; 最大反向漏...
LC58, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 10 ...
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