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1N6130AUS

1N6130AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 137.6 V; 最大反向关态电压: 76 V; 最小击穿电压: 95 V; 测试电流: 12 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 76V 500W 2-Pin E-MELF
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:E-MELF-2
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W

电气特性 Features

  • 配置: Single
  • 方向类型: Bi-Directional
  • 峰值脉冲功率耗散: 500 W
  • 最大峰值脉冲电流: 3.6 A
  • 最大反向漏电流: 1 uA
  • 最大钳位电压: 137.6 V
  • 最大反向关态电压: 76 V
  • 最小击穿电压: 95 V
  • 测试电流: 12 mA
  • 工作温度: -55 to 175 ℃
  • 安装方式: Surface Mount
  • Description:Diode TVS Single Bi-Dir 76V 500W 2-Pin E-MELF
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:E-MELF-2
  • 描述:瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 500W
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