LC58A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 10 u...
SM8S22HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 168 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE120CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 102V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 47 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMPC20A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46.3 A; 最大反向漏电流: ...
SM6T18A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 123 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
SM1615C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 15V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最...
TPSMP12AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 18 A; 最大反向漏电流...
P6KE47CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1.5KE7V5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 690 A; 最大反向漏电流: 500 u...
BZW04-28B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳...
1N6142, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 98.7 A; 最大反向漏电流: 100 ...
MPT-12, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A; 最大反向漏电流: 2 u...
SRDA05-4.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc k...
5KP5.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 543 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ8.5A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.7 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ51AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ8.5A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电...
SMA6J8.5A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 205 A; 最大反向漏电流: 20 uA;...
SMBJ170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMLJ36CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 51.6 A; 最大反向漏电流...
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