P4SMA200CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.1 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMA6T82CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 27 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳位...
SMCG100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ36CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P6SMB22A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.6 A; 最大反向漏电流: 1...
PUSB3F96X,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:4.6(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap|10@Contac...
SMBJ13CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 147 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
SMCJ110CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMCJ6038AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向...
SMCJ5651E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最...
SMCJ58CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SM6T150CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMLJ14CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 129.4 A; 最大反向漏电流:...
1N6301AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏...
SMCJ200CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S...
SMCJ6052E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 29 A; 最大反向漏电流...
PTVS3-058C-SH, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 58V,品牌:Bourns,封装:2SMD,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 3000 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 1...
BZW04-273-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 273V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.9 A; 最大反向漏电...
MAX3205EATE+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:TQFN-16 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact ...
SM8S28AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 145 A; 最大反向漏电流...
产品展示
Product show