TPD4E110DPWR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:X2SON-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Con...
1N6273AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流...
SMP75-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 250 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大反向关态电压: 6 V; 工作温度: -55 to 150...
1.5KE400CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 342V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
BZW04-58BHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电流...
SMCJ5656E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 73.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.4 A; 最...
CD214C-T33CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 28.1 A;...
SMCG7.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 116.3 A; 最大反向漏电流:...
15KPA43CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 216.3 A; 最大反向漏电...
1N6144A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.8 A; 最大反向漏电流: 20 ...
SMCJ11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏...
P6SMB200AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
DF2B12M2SC(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:SC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact D...
B72440D0050H060,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:70 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc KV; 最大工作...
1SMB6.0AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 58.3 A; 最大反向漏电流: 800 uA; ...
SMBG24A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
BZG04-100TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 100V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 167 V; 最大反向关态电压: 10...
SMCJ12AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 75.3 A; 最大反向...
SMAJ26A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 43 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
LDP01-42AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V,品牌:ST,封装:3D2PAK,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1000 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 71 V; 最大反向关...
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