ESD6100,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:WLCSP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.8(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact...
P6KE9.1AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 44.8 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ60A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 4.1 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMBJ48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.7 A; 最大反向漏电流:...
P6SMB100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1...
B72590D 160H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:290 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大...
P6SMB15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 28.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...
PHP250, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 354V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 23 A; 最大反向漏电流: 2...
SMBG54A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMAJ20A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6120A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 29.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1...
LC48, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.5 A; 最大反向漏电流: 10 ...
RT65KP48AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 65KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 65000 W; 最大峰值脉冲电流: 836 A; 最大反...
SMAJ85CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMBJ7V5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 46.5 A; 最大...
SM5S36HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 3.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3600 W; 最大峰值脉冲电流: 56 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ90AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流...
VPORT0603470MV12,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:INPAQ,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:38 V; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:12 V; 最大漏电流:15 ...
SMCJ51CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏...
P6SMB150CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
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