1.5SMC510AHE3_A/I
1.5SMC510AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 434V 1500W,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流...
1.5SMC540AHE3_A/H
1.5SMC540AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 459V 1500W,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流...
1.5SMC540AHE3_A/I
1.5SMC540AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 459V 1500W,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流...
1N6139AUS
1N6139AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大反向漏...
1N6139US
1N6139US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大反向漏电...
1N6140AUS
1N6140AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电流...
1N6141AUS
1N6141AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 111.9 A; 最大反向漏...
1N6142AUS
1N6142AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103.4 A; 最大反向漏...
1N6142US
1N6142US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103.4 A; 最大反向漏电...
1N6143AUS
1N6143AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电...
1N6144AUS
1N6144AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.8 A; 最大反向漏电...
1N6145AUS
1N6145AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电...
1N6146AUS
1N6146AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71.4 A; 最大反向漏...
1N6147AUS
1N6147AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67.3 A; 最大反向漏...
1N6148AUS
1N6148AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.8 A; 最大反向漏...
1N6149AUS
1N6149AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54.2 A; 最大反向漏...
1N6150AUS
1N6150AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49.2 A; 最大反向漏...
1N6151AUS
1N6151AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流...
1N6152AUS
1N6152AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40.1 A; 最大反向漏...
1N6153AUS
1N6153AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流...