P6KA36AHE3
P6KA36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMC3K51CA-M3
SMC3K51CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 51V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.4 A; ...
SMBG130AHE3
SMBG130AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6371
1N6371, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23 A; 最大反向漏电流: 2 uA;...
P6KE250A-E3
P6KE250A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 214V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流: 1...
EPS48
EPS48, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCJ51A
SMCJ51A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏电...
PESD3V3S5UD,115
PESD3V3S5UD,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM kV; 最大工...
P6KE6.8ARLG
P6KE6.8ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 1000 u...
ICTE10HE3
ICTE10HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 u...
HSP061-8M16
HSP061-8M16,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-16 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14(Typ) V; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:20@Air Ga...
IP4220CZ6,125
IP4220CZ6,125,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电流:0.1 uA...
3KASMC30AHE3
3KASMC30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 3KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 62 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
MAX13204EALT-T
MAX13204EALT-T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UDFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:±30@Air Gap/±14@Contact Disc/±15@HBM kV; 最...
P6KE300A-E3
P6KE300A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.4 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ110A-E3
SMCJ110A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ8.5CA-E3
SMCJ8.5CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流: ...
NUP4302MR6T1G
NUP4302MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:16(Min)@HBM kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电流:30 uA; 电容值:...
NZ23C5V6ALT1G
NZ23C5V6ALT1G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Dual/Single Uni-Dir/Bi-Dir 1V 24W,品牌:ON,封装:3SOT-23,参数:配置: Dual|Single; 方向类型: Uni-Directional|Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 24 W;...
P6KA20AHE3
P6KA20AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电流: ...