SMBJ70CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流:...
MAX3204EETT+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:TDFN-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Di...
1.5KE91CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ530-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 477V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 0.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
PTVS7V5U1UPAZ, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Dual Anode Uni-Directional 7.5V 3000W,品牌:NXP,封装:3SOT-1061,参数:配置: Single Dual Anode; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: ...
SM6S12AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 4.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4600 W; 最大峰值脉冲电流: 231 A; 最大反向漏电流...
SMCJ350CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S...
1N5632A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流:...
SM15T15A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 368 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA;...
SMCJ14CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64.7 A; 最大反向漏电流: 5...
SMA5J14A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
TPD2E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
P6SMB62CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ5642A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向...
TPD3E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
P6KA36HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 29.1V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SMC3K43CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 43V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 43.2 A; ...
P6SMB22CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
ICTE18CHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
BZW04-53BHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.7 A; 最大反向漏电流: ...
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