SMBJ8.0E3
SMBJ8.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: ...
P4KE530-E3
P4KE530-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 477V 300W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 66...
1N6104AUS
1N6104AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.3 A; 最大反向漏电流...
1V5KE62A
1V5KE62A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-201AE,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏...
5KP36AE3
5KP36AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 86 A; 最大反向漏电流: ...
5KP13A-E3
5KP13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 233 A; 最大反向漏电流:...
DT2636-04S-7
DT2636-04S-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Directional 5.5V,品牌:Diodes,封装:6SOT-363,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 0.01 uA; 最大钳位电压...
TPD2E001DRSR
TPD2E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
SMCJ188CAHE3
SMCJ188CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 188V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
CD214B-T14ALF
CD214B-T14ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 5...
1SMA33AT3G
1SMA33AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 7.5 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; 最...
SMBJ9.0CAHE3
SMBJ9.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 20 uA; ...
1SMA6.5AT3G
1SMA6.5AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 35.7 A; 最大反向漏电流: 250 uA...
MAX3204EETT+T
MAX3204EETT+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:TDFN-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact D...
SMCG110AHE3
SMCG110AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流: ...
RF1493-000
RF1493-000,聚合物ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:3-Pin,参数:类型:Polymer; 引脚数量:3; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@HBM KV; 电容值:4200(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
RSB6.8CST2R
RSB6.8CST2R,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:VMN-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:5.78 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:15(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150...
PTVS18VS1UTR,115
PTVS18VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 13.7 A; 最大反向漏...
SZ1SMB58CAT3G
SZ1SMB58CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
SMCJ58E3
SMCJ58E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏...