P4SMA30CA-E3
P4SMA30CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.6V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMLJ85CAE3
SMLJ85CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 20.8 A; 最大反向漏电流...
CD214A-T85CALF
CD214A-T85CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流...
SMCJ5657
SMCJ5657, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏...
SMCJ60A-E3
SMCJ60A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
BZG04-56TR3
BZG04-56TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 56V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 3.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 94.4 V; 最大反向关态电压: 56 ...
1N6135A
1N6135A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流: ...
CG1206MLC-12E
CG1206MLC-12E,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:8-Pin Case 1206,参数:引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:30(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
PHP500
PHP500, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 708V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 11.6 A; 最大反向漏电流:...
SMCG28CAHE3
SMCG28CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMCJ6041AE3
SMCJ6041AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电...
SMC3K75CAHM3
SMC3K75CAHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 75V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 24.8 A; ...
DF2B6.8FS,L3F
DF2B6.8FS,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:fSC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV...
BZW06-37BRL
BZW06-37BRL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole...
TPC27HM3
TPC27HM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 21.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.4 A; 最大反向漏电流: ...
P6SMB43CAT3G
P6SMB43CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36.8V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
P6SMB75CAHE3
P6SMB75CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64.1V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMCJ100CE3
SMCJ100CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏...
1N6142US
1N6142US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 103.4 A; 最大反向漏电...
SMBJ250E3
SMBJ250E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Su...