B72500D 50H160,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-523-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.6 V; ...
IP4283CZ10-TBR,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:XSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contac...
SMBG26A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1.5KE56A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电...
1.5KE11CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5KE15CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70.8 A; 最大反向漏电流...
SMAJ48A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1.5KE18A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电...
1.5KE24ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向...
1N6267ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏...
SMAJ15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 16.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ5655AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; ...
BZG04-110TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 110V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 185 V; 最大反向关态电压: 11...
B72714D200A60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SMD-8,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:60 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc KV; 最大工作电压...
1.5KE15A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ33CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
5KP220CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thro...
1N6118A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ8.5AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.7 A; 最大反向...
SMAJ7.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电...
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