SMCJ64CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
MPT-22, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 2 u...
5KP120CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Thro...
P6SMB51AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMCJ12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 75.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
5KP6.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 485 A; 最大反向漏电流: ...
B72590D 150A 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:46 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工...
SMAJ6.0CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 170 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳...
1N6278AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54 A; 最大反向漏电流:...
SMLJ58CAE3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏...
SMBJ45A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ160CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 160V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电...
SAC50-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 50V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...
ESDALCL6-2SC6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Air...
P6SMB440AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 376V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1...
BZG04-110TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 110V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 185 V; 最大反向关态电压: 110...
15KP30A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 296 A; 最大反...
LC150A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1...
SMCJ200AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式:...
SMBG6.5CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.6 A; 最大反向漏电流: 10...
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