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【N沟道场效应管】IRF7832PBF-1
IRF7832PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8721PBF-1
IRF8721PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8303
IRFH8303,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.1mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8201
IRFH8201,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=0.95mOhms,Id=324A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8235
IRFHM8235,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.7mOhms,Id=50A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8342
IRFHM8342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.0mOhms,Id=28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8337
IRFHM8337,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.4mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8228
IRFHM8228,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,Id=65A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8330
IRFHM8330,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8334
IRFHM8334,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF8301M
IRF8301M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=192A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8326
IRFHM8326,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=70A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRL7833S
IRL7833S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.8mOhms,Id=150A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFHM8329
IRFHM8329,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.1mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8307
IRFH8307,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8202
IRFH8202,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.05mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8316
IRFH8316,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.95mOhms,Id=120A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRFH8321
IRFH8321,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.9mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6892S
IRF6892S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S3C封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=125A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【N沟道场效应管】IRF6893M
IRF6893M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=1.6mOhms,Id=168A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562