注册账号 | 忘记密码
IRF8301M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=192A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT24C64AN-10SU2.7存储器,存储芯片由ATME...
AT24C1024BW-SH25-T存储器,存储芯片由ATM...
74HC541D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用7...
29C010A-90JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
SN74LS273NSR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用S...
CD4047BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂...
SN74LVC541APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂...
AT25040B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
SN74HC245PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...