注册账号 | 忘记密码
IRF8301M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.5mOhms,Id=192A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74LVC16245ADGG低功耗CMOS逻辑IC由NXP原...
SN74LV00APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用T...
74HC4094PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
89S52-24JU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采...
MC14052BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
AT93C66A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EE...
AT24C128B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
AT89C4051-12PU单片机,低功耗高性能的CMOS ...
SN74LV123APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用...