IRFHM8334,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
25080AN-10SU27存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
74HC373PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
74HC05D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
AT24C02N-10SU1.8存储器,存储芯片由ATMEL...
89S8253-24AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
SN74HC04DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
74LVC1G126GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生...
SN74LS14DR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-...
AT45DB021D-SH-T单片机,2M闪存存储器由ATM...