STB1277
STB1277,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.8V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMP4201G,115
PMP4201G,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-353-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA...
BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
EMF21T2R
EMF21T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:12@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V@NPN|270@10mA@2V@PNP; 工作温度:-55 ...
NSBC113EF3T5G
NSBC113EF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:3@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
MS2215
MS2215,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:Case-4 M216,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:55 V; 最大DC直流集电极电流:16.5 A; 最小DC直流电流增益:20@5A@5V; 最大工作频率:1215 MHz; 最大集电极基极电压:55 V; 工作温度:-65 ...
RN4906,LF
RN4906,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50...
SMBTA06E6327HTSA1
SMBTA06E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz;...
BF487
BF487,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=400V,BVceo=350V,BVebo=5V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=70MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5551RLRPG
2N5551RLRPG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射极饱...
BC846B,215
BC846B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@...
BULB39D-1
BULB39D-1,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:4@5A@10V|10@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|...
MPSA56G
MPSA56G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
2SB1184TLR
2SB1184TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:180@0.5A@3V; 最大工作频率:70(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@2A V; 最大集...
DDA114EH-7
DDA114EH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
ULQ2003ADR2G
ULQ2003ADR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250u...
BC846BWE6327
BC846BWE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
SMUN2111T1G
SMUN2111T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时...
2SD1803T-E
2SD1803T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.15A@3A V; 最大...
BSV52,215
BSV52,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@1V|40@10mA@1V|25@50mA@1V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集...