PMST3906,135
PMST3906,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V;...
2SB1181TLQ
2SB1181TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@0.1A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@500mA ...
DRC9114E0L
DRC9114E0L,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SSMini3-F3-B-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surfac...
MJD243T4G
MJD243T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|15@1A@1V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@50mA...
KSP92BU
KSP92BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
BCW89
BCW89,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA V; 工作温度:-55 to 15...
MJE18004G
MJE18004G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:12@1A@2.5V|14@300mA@5V|6@2A@1V|10@10mA@5V; 最大工作频率:13(Typ) M...
BC848CWE6327
BC848CWE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
TIP127FP
TIP127FP,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|1000@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压...
ZTX1053ASTZ
ZTX1053ASTZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:75 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:260@10mA@2V|300@1A@2V|100@3A@2V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大...
2SD2150T100R
2SD2150T100R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@2V; 最大工作频率:290(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@2A ...
BC848BWT106
BC848BWT106,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
HN1B01FU-GR,LF
HN1B01FU-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA@NPN|0.3@...
BD159G
BD159G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:375 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:20000 ...
KTC3228
KTC3228,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD2661T100
2SD2661T100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A ...
PMC85XP,115
PMC85XP,115,P沟道MOSFET具有偏置NPN晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:P-Channel MOSFET with Biased NPN transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-65 to 150 ℃; 所属系列:PMC85XP; 安装方式:Surface Mo...
DTC023YEBTL
DTC023YEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-416FL-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
FZT591ATA
FZT591ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@100mA@5V|250@500mA@5V|160@1A@5V|30@2A@5V; ...
BC847BWT1G
BC847BWT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...