KTC4374
KTC4374,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=400mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HFA3134IHZ96
HFA3134IHZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOT-23-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:11 V; 最大DC直流集电极电流:0.026 A; 最小DC直流电流增益:48@10mA@2V|48@1mA@2V|48@0.1mA@2V|48@10mA@5V|48@1m...
ZTX789A
ZTX789A,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@1A@2V|200@2A@2V|100@6A@2V; 最大工作频率:100(Min) M...
MMBTA64LT3G
MMBTA64LT3G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA...
ULN2804APG(O,N,HZN)
ULN2804APG(O,N,HZN),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
DTA015TMT2L
DTA015TMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
NST857BF3T5G
NST857BF3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
BUL742C
BUL742C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:48@100mA@5V|25@800mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@...
FCX591
FCX591,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC849CWE6327
BC849CWE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
BC558
BC558,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBSS5320X,135
PBSS5320X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.1A@2V|220@0.5A@2V|200@1A@2V|150@2A@2V|100@3A@2V; 最大...
FZT755TA
FZT755TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V|50@500mA@5V|20@1A@5V; 最大工作频率:30(Min) MHz; 最大集电...
2SA1201YTE12LCF
2SA1201YTE12LCF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
BFP620FH7764XTSA1
BFP620FH7764XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:2.3 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:110@50mA@1.5V; 最大工作频率:65000(Typ) MHz; 最大集电极基极电...
BFU550XVL
BFU550XVL,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:60@15mA@8V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 mW; 安装方式:Surfa...
NST3906DP6T5G
NST3906DP6T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100...
2N720A
2N720A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:20@10uA@10V|35@10mA@10V|40@150mA@10V; 最大集电极发射极饱和...
DP0150ALP4-7
DP0150ALP4-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-H4-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA...
2SB740
2SB740,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=70V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562