DSL01-024SC5,二级保护用于DSL线路,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-5,参数:分类:Secondary Protection for DSL Lines; 引脚数目:5; 所属系列:DSL01-024SC5; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
STN0214,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:20(Typ)@1mA@2V|3(Typ)@200mA@2V; 最大集电极发射极饱和电...
DMB54D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UDW; ...
DTA114EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
HFA3096BZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-16 N,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V@NPN|20@10mA@2V@PNP; 最大工作频率:8000(Ty...
TIP42C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@6A V...
DDTB142TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
PBSS306NX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|150@1A@2V|100@2A@2V|50@4A@2V|40@5A@2V; 最大工...
DDTD143EC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:47@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
RN1406,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
HD1750FX,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOWATT218FX-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:800 V; 最大DC直流集电极电流:24 A; 最小DC直流电流增益:6.5@12A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:3@3A@12A V; 工作...
DTB114TKT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
MJD350T4,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:...
PEMH4,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
NZT605,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:110 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@2A@5V|300@1.5A@5V|2000@1A@5V|5000@500mA@5V|2...
LMN200B01-7,PNP晶体管和N-MOSFET,带有下拉电阻,品牌:Diodes,封装:SOT-26-6,参数:分类:PNP Transistor and N-MOSFET with Pull Down Resistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:LMN200B01; 安...
NSBA144TF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2SB1375,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=9+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR106,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@50mA@9V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-...
D965,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=5000mA,BVcbo=42V,BVceo=22V,BVebo=6V,hfe(Min)=340,hfe(Max)=2000,Vce(sat)=0.35V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
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