SMUN5235DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
KSE340STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功...
2SA1834TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:180@500mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.05A@4A...
NSV40301MZ4T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.5A@1V|200@1A@1V|100@3A@1V; 最大工作频率:215(Typ) MHz; 最大...
2N5551RLRPG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射极饱...
UMB2NTN,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
2PB1219AS,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:170@150mA@10V|40@500mA@10V; 最大工作频率:140(Min) MHz; 最大集电极发射...
FZT458TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(Min) M...
2PB1219AQ,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:85@150mA@10V|40@500mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极...
NSTB1005DXV5T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-553-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V@NPN|80@PNP...
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...
MPSW01AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:55@10mA@1V|60@100mA@1V|50@1000mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射...
BC847BDW1T3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@1...
2SB1201T-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@1A V; 最大...
UMG11NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-50 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0...
DXT2011P5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@2V|100@2A@2V|30@5A@2V|10@10A@2V; 最大工作频率:13...
MPS750,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=75,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=75MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MUN5311DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
DTC044EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
PHPT60603PYX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-669-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:150@500mA@2V|150@1A@2V|80@2A@2V|35@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
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